WIEN2000使用全电子方案，年终年电包含相对论影响。
最近，盘点随着(111)取向的单晶铜箔制备技术的发展，铜箔上可以实现大面积无皱褶单晶石墨烯的规模化制备。选取的9个区域的电子背散射衍射（EBSD）反极图没有任何差异，力市说明Cu（111）膜的晶体取向一致（图1e）。
然而，大热在无催化剂的绝缘衬底上生长高质量的石墨烯仍然存在挑战。利用从Cu（111）表面扩散到Cu（111）-Al2O3（0001）界面的碳原子，门事在Cu（111）-Al2O3（0001）界面生长石墨烯。经过十个循环的MPE-CVD生长后，年终年电在界面处合成了单晶石墨烯岛，其对齐的六边形形状和锋利的边缘表明生长的石墨烯具有高的质量（图2b）。
与原始的Al2O3（0001）晶片相比，盘点石墨烯/Al2O3（0001）表现出由紫外-可见光（UV-vis）指示的较弱的可见光吸收（图3a）。力市ID/IG比的均匀拉曼图表明石墨烯中几乎不存在缺陷（图2c）。
XRD花样表现出高度一致的尖锐Cu（111）峰且具有高的信噪比，大热说明单晶Cu（111）薄膜具有优良的晶相和质量（图1f）。
光学显微图像显示，门事所生产的单晶Cu（111）几乎覆盖了2英寸Al2O3（0001）晶片的整个区域（图1d）。此外，年终年电大多数无机/硫复合材料常用的熔融浸渍合成方法也比较复杂。
特别得，盘点聚合物由于其结构的可设计性、多功能性、优越的化学稳定性和可加工性在锂硫电池中得以广泛应用。力市c)PANI-S电极在放电/充电过程中的示意图。
要点五隔膜和电解质中的聚合物多孔隔膜作为LSBs中不可缺少的部件，大热对隔离正极与负极，避免短路起着至关重要的作用。门事相关论文以题为PolymersinLithium–SulfurBatteries发表在AdvancedScience上。